硅微粉的生產(chǎn)方法主要有：

  *，三氯氫硅法將干燥的硅粉加入合成爐中，與通入的干燥氯化氫氣體在280～330℃有氯化亞銅催化劑存在下進(jìn)行氯化反應(yīng)，反應(yīng)氣體經(jīng)旋風(fēng)分離除去雜質(zhì)，再用氯化鈣冷凍鹽水將氣態(tài)三氯氫硅冷凝成液體，經(jīng)粗餾塔蒸餾和冷凝，除去高沸物和低沸物，再經(jīng)精餾塔蒸餾和冷凝，得到精制三氯氫硅液體。純度達(dá)到7個(gè)“9”以上、雜質(zhì)含量小于1×10-7，硼要求在0.5×10-9以下。提純后的三氯氫硅送入不銹鋼制的還原爐內(nèi)，用超純氫氣作還原劑，在1050～1100℃還原成硅，并以硅芯棒為載體，沉積而得多晶硅成品。

  第二，用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，加熱到1900℃左右進(jìn)行還原。此方法制得的硅純度為97%～98%，被稱作金屬硅。再將金屬硅融化后進(jìn)行重結(jié)晶，用酸除去雜質(zhì)，得到純度為99.7%～99.8%的金屬硅。如要將它做成半導(dǎo)體用硅，還要將其轉(zhuǎn)化成易于提純的液體或氣體形式，再經(jīng)蒸餾、分解過(guò)程得到多晶硅。如需得到高純度的硅，則需要進(jìn)行進(jìn)一步的提純處理。

  第三， 用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，用1000～3000kVA開(kāi)式電弧爐，加熱到1900℃左右進(jìn)行還原。